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SI7236DP-T1-E3

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SI7236DP-T1-E3参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH 20V PWRPAK 8-SO
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:4000pF @ 10V
功率 - 最大:46W
安装类型:表面贴装

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